• Silicon Wafer 8, 12 inch
  • 실리콘 웨이퍼

■ P-type, N-type으로 구분
■ 8인치 / 12인치로 구분 (Dia 크기에 따라 두께 증가)
■ Grade는 Prime Grade, Test Grade, Fallout Grade로 구분
■ LPCVD, PECVD, Sputtering 증착 Wafer 공급 가능 (별도 상담 및 견적 필요)
■ SK실트론



● 8, 12인치 Dia : Dia 크기에 따라 두께 증가

● P(Positive) Type(Dopant Type)
 - Impurity(불순물) Doping 으로 전기적 특성을 부여
  · 3가 원소(B, Al, Ga) Doping으로 특성을 변화시킴
  · 양공이 전하 운반자임

● 저항 (Ω) : Impurity Doping 양이 증가하면 저항이 낮아짐

● 웨이퍼의 방향성 표시 방법
 - Notch
  · 가장자리에 작은 V자 모양의 홈을 만드는 것
  · 200 mm이상 대형 웨이퍼에서 주로 사용
 - Flat
  · 웨이퍼의 가장자리에 일정 길이의 평평한 부분을 만듬
  · Primary Flat 과 Secondary Flat 의 각도와 길이를 통해 웨이퍼의 종류와 도핑유형 구분

● Orientation : 1-0-0
 - 절단으로 결정 평면을 나타냄
 - 최근에는 절단 보다는 표시로 결정 평면을 나타냄
 - 이온 주입 방향을 선택

● Thermal Oxidation (산화막)
 - 고온에서 Silicon Wafer 를 산화시켜 SiO2 절연막을 성장시키는 공정
 - 장점 : 보호막(Surface Passivation), 불순물 제거(Surface Cleaning), 소자간 격리(Isolation)

● Grade
 - Prime Grade : 제품 양산용, High Quality / High Cost
 - Test Grade : 방비 유지 관리 및 엔지니어 실험 등, High Quality
 - Fallout Grade : 실험이나 교육목적 등

● 특수사양 Wafer 공정
 - LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) : Nitride, Poly-Silicon, Amorphous Silicon 양면 증착
 - PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) : Nitride, TEOS(Tetraethyl Orthosilicate), ACL(Amorphous Carbon Layer) 단면 증착
 - Metal Sputtering : Al, Cu, Ti 증착

● SK실트론
  •  
    • Silicon Wafer , P -Type, 1-0-0 (Orientation)
    Cat. No. Model Dia.
    (inch)     		Thickness
    (um)     		Resistivity
    (ohm)     		Polishing
    Surface     		Grade Notch
    or Flat    		 PARTICLE
    W04-171-801 SW8P008P 8 700-750 4~12 Single Side PRIME Notch  
    W04-171-804 SW8P010P 8~12 Flat
    W04-171-807 SW8P014P 3~25 Double Side
    W04-171-810 SW8P500TSN 1~50 Single Side TEST Notch
    W04-171-813 SW8P500TSF Flat
    W04-171-816 SW8P500TDF Double Side
    W04-171-819 SW12P990F 12 750-800 1~99 Fallout Notch No COA
    W04-171-822 SW12P030T 755-795 1~30 TEST 120nm 1000EA
    W04-171-825 SW12P050T12 750-800 1~50 120nm 50EA
    W04-171-828 SW12P050T05 50nm 50EA
    W04-171-831 SW12P010P05 8~12 PRIME 50nm 30EA
    W04-171-834 SW12P020P05 14~27 50nm 30EA
    • Silicon Wafer, , P -Type, 1-0-0 (Orientation), Test Grade
    Cat. No. Model Dia.
    (inch)     		Thickness
    (um)     		Resistivity
    (ohm)     		Polishing Surface Notch
    or Flat    		 Thermal Oxidation
    W04-171-851 SSW8P500TND01 8 700-750 1~50ohm.cm Single Side Notch 0.1um with Dry (1,000Å)
    W04-171-854 SSW8P500TND02 0.2um with Dry (2,000Å)
    W04-171-857 SSW8P500TND03 0.3um with Dry (3,000Å)
    W04-171-860 SSW8P500TNW03 0.3um with Wet (3,000Å)
    W04-171-863 SSW8P500TNW05 0.5um with Wet (5,000Å)
    W04-171-866 SSW8P500TNW10 1.0um with Wet (10,000Å)
    W04-171-869 SSW8P500TNW15 1.5um with Wet (15,000Å)
    W04-171-872 SSW8P500TNW20 2.0um with Wet (20,000Å)
    W04-171-875 SSW8P500TFD01 Flat 0.1um with Dry (1,000Å)
    W04-171-878 SSW8P500TFD02 0.2um with Dry (2,000Å)
    W04-171-881 SSW8P500TFD03 0.3um with Dry (3,000Å)
    W04-171-884 SSW8P500TFW03 0.3um with Wet (3,000Å
    W04-171-887 SSW8P500TFW05 0.5um with Wet (5,000Å)
    W04-171-890 SSW8P500TFW10 1.0um with Wet (10,000Å)
    W04-171-893 SSW8P500TFW15 1.5um with Wet (15,000Å)
    W04-171-896 SSW8P500TFW20 2.0um with Wet (20,000Å)
    W04-171-899 SSW12N1000 12 750-800 1~100ohm.cm Double Side Notch 0.1um (1,000Å)
    W04-171-902 SSW12N2000 0.2um (2,000Å)
    W04-171-905 SSW12N3000 0.3um (3,000Å)
    W04-171-908 SSW12N4000 0.4um (4,000Å)
    W04-171-911 SSW12N5000 0.5um (5,000Å)
    ● Silicon Wafer, SiO2는 주문 시, Thermal Oxidation 범위 내에서 선택해야함