• Silicon Wafer, 4, 6 inch
  • 실리콘 웨이퍼

■ Dia는 4인치 / 6인치 / 8인치 / 12인치로 구분 (Dia 크기에 따라 두께 증가)
■ Dopant Type은 P-type, N-type으로 구분
■ Grade는 Prime Grade, Test Grade로 구분
■ QL, SK실트론



● 4, 6, 8, 12인치 Dia : Dia 크기에 따라 두께 증가

● Dopant Type 구분 : Impurity(불순물) Doping 으로 전기적 특성을 부여
- P(Positive) Type
· 3가 원소(B, Al, Ga) Doping으로 특성을 변화시킴
· 양공이 전하 운반자임
- N(Negative)-Type
· 5가 원소(P) Doping으로 특성을 변화시킴
· 전자가 전하 운반자임

● 저항 (Ω) : Impurity Doping 양이 증가하면 저항이 낮아짐

● Orientation : 1-0-0
- 절단으로 결정 평면을 나타냄
- 최근에는 절단 보다는 표시로 결정 평면을 나타냄
- 이온 주입 방향을 선택

● Thermal Oxidation (산화막)
- 고온에서 Silicon Wafer 를 산화시켜 SiO2 절연막을 성장시키는 공정
- 장점 : 보호막(Surface Passivation), 불순물 제거(Surface Cleaning),
소자간 격리(Isolation)

● Grade
- Prime Grade : 제품 양산용, High Quality / High Cost
- Test Grade : 방비 유지 관리 및 엔지니어 실험 등, High Quality

● QL, SK실트론
  •  
    • Silicon Wafer / 실리콘 웨이퍼
    Cat. No. Model Dia.
    (inch)     		Type Thickness
    (um)     		Resistivity
    (ohm)     		Polishing
    Surface     		Orientation Grade
    W04-171-601 SW4P005P 4 P 500-550 <0.005 Single Side 1-0-0 PRIME
    W04-171-604 SW4N005P N
    W04-171-607 SW4P300T P 1~30 TEST
    W04-171-610 SW4P100P 1~10 PRIME
    W04-171-613 SW4N100P N
    W04-171-621 SW6P005P 6 P 650-700 <0.005
    W04-171-624 SW6N005P N
    W04-171-627 SW6P015P P 0.01~0.02
    W04-171-630 SW6N015P N
    W04-171-633 SW6P100P P 1~10
    W04-171-636 SW6N100P N
    W04-171-639 SW6P300T P 1~30 TEST
    W04-171-642 SW6N300T N
    W04-171-651 SW8P005P 8 P 700-750 <0.005 PRIME
    W04-171-654 SW8P500T 1-50 TEST
    W04-171-661 SW12P500TD 12 Double Side
    • Silicon Wafer, SiO2 / 산화막 증착 실리콘 웨이퍼
    Cat. No. Model Dia.
    (inch)     		Type Thickness
    (um)     		Resistivity
    (ohm)     		Polishing Surface Orientation Grade Thermal Oxidation
    W04-171-701 SSW4P1000P 4 P 500-550 <0.005 Single Side 1-0-0 PRIME 1000A(=100nm)
    W04-171-704 SSW4P2000P 2000A(=200nm)
    W04-171-707 SSW4P3000P 3000A(=300nm)
    W04-171-710 SSW4N1000P N 1000A(=100nm)
    W04-171-713 SSW4N2000P 2000A(=200nm)
    W04-171-716 SSW4N3000P 3000A(=300nm)
    W04-171-721 SSW6N1000P 6 P 650-700 1000A(=100nm)
    W04-171-724 SSW6N2000P 2000A(=200nm)
    W04-171-727 SSW6N3000P 3000A(=300nm)
    W04-171-730 SSW6N1000P N 1000A(=100nm)
    W04-171-733 SSW6N2000P 2000A(=200nm)
    W04-171-736 SSW6N3000P 3000A(=300nm)
    W04-171-741 SSW8N005P 8 P 700-750 1000A ~ 2um
    W04-171-744 SSW8N500T 1-50 TEST
    W04-171-751 SSW12N1000TD 12 750-800 1-100 Double Side
    ● Silicon Wafer, SiO2는 주문 시, Thermal Oxidation 범위 내에서 선택해야함